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绝缘栅极晶体管(IGBTS)

Prodline IGBT

Bourns®IGBT离散投标系列结合了MOS栅极和双极晶体管的技术,为高压和高电流应用创建了正确的组件。体育投注在线该设备使用先进的沟槽门板技术技术,可提供对动态特性的更大控制,同时导致较低的收集器发射器饱和电压(VCE(星期六))和更少的切换损失。此外,该结构增加了设备的鲁棒性,并给出较低的RTh。Bourns®IGBT解决方案适用于SMP,UPS和PFC应用。体育投注在线

系列 数据表 照片 包裹 特征 vCE[v] C
@ t =100˚C
[一个]
典型。vCE(星期六)
@ ic,vge = 15 V
[v]
F
@ t =100˚C
[一个]
操作连接温度 MDS 设计文件 工学 立即购买
BIDD05N60T BIDD05N60T
TO-252 中速 600 5 1.5 N/A。 –55°C至+150°C BIDD05N60T
购入
BIDW20N60T BIDW20N60T
TO-247 中速 600 20 1.7 20 –55°C至+150°C BIDW20N60T
购入
BIDW30N60T BIDW30N60T
TO-247 中速 600 30 1.65 30 –55°C至+150°C BIDW30N60T
购入
BIDW50N65T BIDW50N65T
TO-247 中速 650 50 1.65 50 –55°C至+150°C BIDW50N65T
购入
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3
TO-247N 高速 600 30 1.65 12 –55°C至+150°C BIDNW30N60H3
购入
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