高電壓型:三電極(高电压,3电极)

高電壓gdt專為"高隔離度"的應用與客戶需求而設計。其直流崩潰電壓範圍從800v至1100 v。

Gdt, spd, mov的衝突礦產來源報告:CFSI_CMRT4-01

系列 資料表 描述 產品圖片 裝置符號 體積 電容pF 直流击穿电压范围 额定8/20 μ脉冲放电电流(kA 最大8 × 20脉冲电流(kA) 1应用 最大10x350脉冲电流(kA) 1应用 工作温度范围C° 包装选项 RoHS規範 MDS 工程 工程文件
2052 - xx - sm 2052 - xx - sm 轻型对称三电极微型GDT 2052年_part gdt_3_electrode 5 x 7.2 < 2 800 5 10 不评价 -30到+85 磁带和卷,散装 2052 - xx smlf 2052 - xx smlf
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2038 - xx - sm 2038 - xx - sm 长寿命对称三电极微型GDT 2036年_xx_sm_part_photo gdt_3_electrode 5 x 7.5 < 1 800年,1100年 5 10 不评价 -40到+90 磁带和卷,散装 2038 - xx——SMLF 2038 - xx——SMLF
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